Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. продукты Created with Pixso.
Модуль IGBT
Created with Pixso.

Модуль IGBT с низким VCE sat и коротким током для низких потерь переключения

Модуль IGBT с низким VCE sat и коротким током для низких потерь переключения

Наименование марки: Krunter
Номер модели: KUG75H12 W4L
Подробная информация
Place of Origin:
China
Technology:
Si
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.5V
Collector-Emitter Capacitance:
100pF
Installation Style:
SMD/SMT
Product:
Diode Power Modules
Manufacturer:
PRX
Warranty:
365days
Power Dissipation:
500W
Subcategory:
Interface ICs
Lead Times:
Immediately Shipment
Voltage Rating:
1200V
Dimensions:
106.4*61.4*30.5mm
Moisture Sensitive:
YES
Выделить:

Модуль IGBT короткого тока

,

Модуль IGBT с низким VCE

,

Модуль IGBT с низкими потерями переключения

Характер продукции
  • Низкий VCE ((sat)

  • Ток короткого замыкания 10 мкс

  • Низкие потери при переключении

  • Положительный температурный коэффициент VCE (sat)

  • Диоды с свободными колесами с очень низким падением напряжения вперед и мягким восстановлением

  • Промышленный стандартный комплект с медным основополагающим пластом

Диаграмма внутренней схемы

Модуль IGBT с низким VCE sat и коротким током для низких потерь переключения 0

Параметры спецификации

Тип VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot Круговая Пакет Технологии
Вольт Вольт Амперы Вольт mJ Ватты
KUG40H12S4L 1200 В ± 20 40А 2.80В 7.2 мДж 150°С 250 Вт 2 упаковки 34 мм ДНЯО
KUG50H12S4L 1200 В ± 20 50А 2.80В 7.2 мДж 150°С 285W 2 упаковки
KUG75H12S4L 1200 В ± 20 75А 2.80В 100,6 мДж 150°С 395W 2 упаковки
KUG100H12S4L 1200 В ± 20 100А 3.10В 130,4 мДж 150°С 555W 2 упаковки
KUG150H12S4L 1200 В ± 20 150A 2.80В 170,0 мДж 150°С 790 Вт 2 упаковки
KUG40H12E4L 1200 В ± 20 40А 2.10В 80,8 мДж 175°С 250 Вт 2 упаковки ФС траншеи
KUG50H12E4L 1200 В ± 30 50А 1.65В 100,1 мДж 175°С 285W 2 упаковки
KUG75H12E4L 1200 В ± 30 75А 1.65В 180,0 мДж 175°С 395W 2 упаковки
KUG100H12E4L 1200 В ± 30 100А 1.65В 240,8 мДж 175°С 555W 2 упаковки
KUG40H12W4L 1200 В ± 20 40А 2.10В 80,4 мДж 175°С 250 Вт 2 упаковки Овраг
Быстро
KUG50H12W4L 1200 В ± 20 50А 2.25В 90,4 мДж 175°С 285W 2 упаковки
KUG75H12W4L 1200 В ± 20 75А 20,00 В 140,0 мДж 175°С 395W 2 упаковки
KUG100H12W4L 1200 В ± 20 100А 1.90В 19.5 мДж 175°С 555W 2 упаковки
KUG150H12W4L 1200 В ± 20 150A 1.90В 270,8 мДж 175°С 790 Вт 2 упаковки

Модуль IGBT с низким VCE sat и коротким током для низких потерь переключения 1

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ