Подробная информация о продукции

Дом продукты

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

Наименование марки:	Krunter
Номер модели:	KHG75H12E4L
MOQ:	1
Цена:	Подлежит обсуждению
Условия оплаты:	Подлежит обсуждению
Способность к поставкам:	Подлежит обсуждению

Подробная информация

Характер продукции

Подробная информация

Место происхождения:

китайский

Product:

IGBT Module

Output Type:

Rail to Rail

Date Code:

Newest code

Maximum Clock Frequency:

8 MHz

Maximum Junction Temperature:

175°C

Input Voltage Range:

4.5 V to 18 V

Warranty:

365days

Stock:

100PCS

Operating Temperature:

-40 to +125

Configuration:

6-Pack

Maximum Collector Current:

Factory Packing Quantity:

Moisture Sensitive:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Feature:

High current

Упаковывая детали:

Стандартная упаковка

Поставка способности:

Подлежит обсуждению

Выделить:

Модуль IGBT KHG75H12E4L

Модуль IGBT 8 МГц

Модуль питания высокочастотного ИГБТ

Характер продукции

Модуль KHG75H12E4L IGBT для распределения высоковольтной и высокочастотной энергии в промышленности

KHG75H12E4L

Технология NPT IGBT
Возможность короткого замыкания 10 мкм
Низкие потери при переключении
VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом
Квадратный RBSOA
Чехол с низкой индуктивностью
Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Применение	Диаграмма внутренней схемы
Сварные машины Инверторы Индукционное нагревание Машины для резки плазмы

Параметры спецификации

Тип	VCES Вольт	VGES Вольт	IC Амперы	VCE(SAT) Вольт	(EON+EOFF) mJ	TJ	Ptot Ватты	Круговая	Пакет	Технологии

KWG50F12E4T	1200 В	± 20	50А	2.90В	60,9 мДж	150°С	408	4 упаковка	62 мм ((Т)	ДНЯО
KWG75F12E4T	1200 В	± 20	75А	2.90В	110,8 мДж	150°С	595	4 упаковка		ДНЯО

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности 2

Бирки:

Изготовление с помощью станков с ЧПУ

Обработка корпуса испытательного розетки BGA

Испытательная розетка

Азимутный носитель испытательного сокета

Настраиваемый тестовый разъем

Испытательный разъем Loranger

Отливая в форму впрыска

Формирование

Инъекция

Пластиковый материал

Электронный блок

Электролиз свинца

Конный электролизный конденсатор

Поверхностный электролитический конденсатор

Электролизатор твердого оксида

Diodes

Zener diodes

Switching diodes

Schottky Diodes

Rectifier Diodes

Fast Recovery Diodes

Transistors

Transistors

Digital Transistors

Mosfets

Low Voltage Mos

Middle Voltage Mos

Cool Voltage Mos

ESD

SiC

Пин

ПИН-код POGO

Зонды

Сгибать PIN-код

Ключ для емкости

Модуль IGBT

Микроскоп

Изготовление с помощью станков с ЧПУ

Обработка корпуса испытательного розетки BGA

Испытательная розетка

Азимутный носитель испытательного сокета

Настраиваемый тестовый разъем

Испытательный разъем Loranger

Отливая в форму впрыска

Формирование

Инъекция

Пластиковый материал

Электронный блок

Электролиз свинца

Конный электролизный конденсатор

Поверхностный электролитический конденсатор

Электролизатор твердого оксида

Diodes

Zener diodes

Switching diodes

Schottky Diodes

Rectifier Diodes

Fast Recovery Diodes

Transistors

Transistors

Digital Transistors

Mosfets

Low Voltage Mos

Middle Voltage Mos

Cool Voltage Mos

ESD

SiC

Пин

ПИН-код POGO

Зонды

Сгибать PIN-код

Ключ для емкости

Модуль IGBT

Микроскоп

Подробная информация о продукции

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

Модуль IGBT KHG75H12E4L

Модуль IGBT 8 МГц

Модуль питания высокочастотного ИГБТ