Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. продукты Created with Pixso.
Модуль IGBT
Created with Pixso.

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности

Наименование марки: Krunter
Номер модели: KHG75H12E4L
MOQ: 1
Цена: Подлежит обсуждению
Условия оплаты: Подлежит обсуждению
Способность к поставкам: Подлежит обсуждению
Подробная информация
Место происхождения:
китайский
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
Упаковывая детали:
Стандартная упаковка
Поставка способности:
Подлежит обсуждению
Выделить:

Модуль IGBT KHG75H12E4L

,

Модуль IGBT 8 МГц

,

Модуль питания высокочастотного ИГБТ

Характер продукции

Модуль KHG75H12E4L IGBT для распределения высоковольтной и высокочастотной энергии в промышленности

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности 0

KHG75H12E4L

  • Технология NPT IGBT

  • Возможность короткого замыкания 10 мкм

  • Низкие потери при переключении

  • VCE ((sat) с положительным температурным коэффициентом

  • Квадратный RBSOA

  • Чехол с низкой индуктивностью

  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD

  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

 
 

 

Применение

Диаграмма внутренней схемы

  • Сварные машины

  • Инверторы

  • Индукционное нагревание

  • Машины для резки плазмы

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности 1

Параметры спецификации

Тип VCES
Вольт
VGES
Вольт
IC
Амперы
VCE(SAT)
Вольт
(EON+EOFF)
mJ
TJ Ptot
Ватты
Круговая Пакет Технологии
 
KWG50F12E4T 1200 В ± 20 50А 2.90В 60,9 мДж 150°С 408 4 упаковка 62 мм ((Т) ДНЯО
KWG75F12E4T 1200 В ± 20 75А 2.90В 110,8 мДж 150°С 595 4 упаковка ДНЯО

KHG75H12E4L 8MHz IGBT модуль высокого напряжения высокочастотного распределения энергии в промышленности 2

 

 

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ